전력 반도체
파워 MOSFET의 게이트를 일정 전류로 충전했을 때, 게이트 전압이 한동안 평평해지는 "밀러 플래토"가 생기는 이유로 올바른 것은 무엇입니까?
- A게이트 전류가 멈추기 때문
- B게이트 절연막이 일시적으로 파괴되기 때문
- C드레인 전압이 변화하는 동안 게이트 전류가 게이트-드레인 간 용량의 충방전에 사용되기 때문
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정답: C. 드레인 전압이 변화하는 동안 게이트 전류가 게이트-드레인 간 용량의 충방전에 사용되기 때문
스위칭 중 드레인 전압이 크게 변화하는 동안, 게이트에 흘린 전류는 게이트-드레인 간 용량(밀러 용량 Cgd)의 충방전에 사용되어 게이트 전압이 거의 일정하게 유지됩니다. 이 평평한 부분이 밀러 플래토이며, 이 사이에 드레인 전압이 전환되므로 손실이 집중됩니다. 플래토의 시간은 대략 "게이트-드레인 전하 Qgd ÷ 게이트 전류"로, Qgd가 작은 소자일수록 빠르게 스위칭할 수 있습니다.
- A. 게이트 전류는 계속 흐르고 있습니다.
- B. 절연막이 파괴되는 현상이 아닙니다.
- C. 옳습니다. 밀러 용량의 충방전에 전류가 사용되기 때문입니다.