반도체 물리

진성 반도체의 온도를 높이면 진성 캐리어 밀도는 어떻게 되는가?

  1. A증가한다
  2. B감소한다
  3. C변하지 않는다
정답과 해설 보기

정답: A. 증가한다

온도가 올라가면 가전자대의 전자가 열에너지로 밴드갭을 넘기 쉬워져 전자와 정공의 쌍이 늘어납니다. 진성 캐리어 밀도는 ni ∝ T^(3/2)·exp(−Eg/2kT)이며, 실리콘에서는 실온 부근에서 약 10 ℃ 오를 때마다 대략 2배가 됩니다. 이러한 급격한 증가가 pn 접합의 역방향 누설 전류가 고온에서 늘어나는 원인이며, 밴드갭이 큰 SiC와 GaN이 고온 동작에 강한 이유이기도 합니다.

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