Diode mit sehr stark dotierter p- und n-Seite, die in Durchlassrichtung durch Tunneln einen negativen Widerstand zeigt. Sie wurde 1957 von Leo Esaki entdeckt.
Japanische Bezeichnung: トンネルダイオード(エサキダイオード)
Fachgebiet: PN-Übergänge und Dioden
Diffusionskapazität (diffusion capacitance) Diffusionsspannung Durchlassrichtung (Flussspannung anlegen) Idealitätsfaktor (ideality factor) Lawinendurchbruch Leitfähigkeitsmodulation (conductivity modulation) Ohmscher Kontakt (ohmic contact) Raumladungszone (Sperrschicht) Schottky-Diode (Schottky barrier diode) Sperrschichtkapazität (Verarmungskapazität, junction capacitance)