Was ist Pinned Photodiode (vergrabene Photodiode)?

Photodiode mit stark dotierter p+-Schicht an der Oberfläche, die den Sammelbereich von der Grenzfläche fernhält. Sie unterdrückt Dunkelstrom aus Grenzflächenzuständen und erlaubt vollständigen Ladungstransfer; Standard in CMOS-Bildsensoren.

Japanische Bezeichnung: 埋め込みフォトダイオード(ピンドフォトダイオード)