Wat gebeurt er in het algemeen met de doorslagspanning van een pn-junctie waarvan de onzuiverheidsconcentratie aan één zijde laag is?

Antwoord: C. Ze wordt hoger

Bij een lage onzuiverheidsconcentratie strekt de uitputtingslaag zich bij dezelfde spanning verder uit en wordt het veld in de junctie zwakker. Daardoor is een hogere spanning nodig om het kritieke veld (bij silicium ca. 3×10⁵ V/cm) te bereiken en wordt de doorslagspanning hoger. De doorslagspanning is ongeveer evenredig met de concentratie tot de macht −3/4, en bij de 600 V-klasse ligt de concentratie van de driftlaag in de orde van 10¹⁴ cm⁻³. Bij lage concentratie en een dikke laag neemt echter de aan-weerstand toe, zodat er een afweging is met de doorslagspanning.