Jonction PN et diodes
Quelle est approximativement, à température ambiante, la résistance petits signaux (résistance dynamique) d'une diode au silicium idéale parcourue par un courant direct de 1 mA ? (kT/q ≈ 26 mV)
- AEnviron 260 Ω
- BEnviron 26 Ω
- CEnviron 2,6 Ω
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Réponse : B. Environ 26 Ω
La résistance dynamique d'une diode est l'inverse de la pente de la caractéristique courant-tension : rd = nkT/(qI). Pour n = 1 et I = 1 mA, rd = 26 mV ÷ 1 mA = 26 Ω. Inversement proportionnelle au courant, elle vaut 2,6 Ω à 10 mA et 260 Ω à 0,1 mA. En analyse petits signaux, on remplace la diode par cette résistance ; la résistance d'émetteur d'un transistor bipolaire, re = 26 mV/IE, repose sur le même principe.