Que permet d'évaluer correctement la mesure de la capacité d'une jonction PN polarisée en inverse en fonction de la tension (mesure C-V) ?

Réponse : C. La concentration d'impuretés du côté faiblement dopé et son profil en profondeur

Lorsque la polarisation inverse augmente, la zone de déplétion s'élargit et la capacité diminue ; la manière dont elle varie dépend de la concentration d'impuretés en bordure de la zone de déplétion. La pente du tracé de 1/C² en fonction de la tension donne la concentration, et la largeur de déplétion W = εA/C donne la profondeur : on obtient ainsi de façon non destructive le profil en profondeur du dopage du côté faiblement dopé. La méthode sert notamment au contrôle du dopage des couches épitaxiales ; une sonde à mercure permet de mesurer sans former d'électrodes.