一邊改變電壓一邊量測PN接面逆向偏壓時的電容（C-V量測），可以評估下列何者？

正確答案：C. 低濃度側的雜質濃度及其深度方向的分布

逆向偏壓增大時空乏區變寬而電容變小，其變化方式由空乏區邊緣的雜質濃度決定。由 1/C² 對電壓作圖的斜率可得濃度，由空乏區寬度 W = εA/C 可得深度，因此能以非破壞方式求出低濃度側雜質濃度的深度分布。它被用於磊晶層的濃度管理等，若使用汞探針，還能在不形成電極的情況下進行量測。