Physique des semi-conducteurs

Quelle est l'unité correcte de la mobilité des porteurs ?

  1. Acm²/(V·s)
  2. BΩ·cm
  3. Ccm/s
Afficher la réponse et l'explication

Réponse : A. cm²/(V·s)

La mobilité est la vitesse de dérive par unité de champ électrique de 1 V/cm ; son unité est (cm/s) ÷ (V/cm) = cm²/(V·s). En unités SI, elle s'exprime en m²/(V·s), mais le domaine des semi-conducteurs utilise par convention le système cm, avec 1 m²/(V·s) = 10⁴ cm²/(V·s). Les ordres de grandeur sont d'environ 1400 pour les électrons du silicium, 450 pour les trous et 8500 cm²/(V·s) pour les électrons du GaAs, ce qui conditionne directement le choix du matériau des transistors haute fréquence.

S'entraîner sur ce thème Retour au thème

Autres questions sur Physique des semi-conducteurs

  1. Avec la densité d'électrons n, la densité de trous p, la mobilité des électrons μn, la mobilité des trous μp et la charge élémentaire q, quelle expression donne la conductivité σ d'un semi-conducteur ?
  2. Comment appelle-t-on le processus de recombinaison d'électrons et de trous par l'intermédiaire de niveaux profonds (pièges) dans la bande interdite ?
  3. Avec D le coefficient de diffusion des porteurs minoritaires et τ leur durée de vie, quelle expression donne la longueur de diffusion L ?
  4. Comment évolue la bande interdite du silicium lorsque la température augmente ?
  5. Comment évolue la vitesse de dérive des électrons du silicium soumis à un champ électrique intense ?