Comment évolue la bande interdite du silicium lorsque la température augmente ?

Réponse : A. Elle diminue légèrement

Lorsque la température augmente, la dilatation thermique du réseau et l'interaction des électrons avec les vibrations du réseau réduisent légèrement la bande interdite. Dans le silicium, la variation est d'environ −0,3 meV/K au voisinage de la température ambiante : environ 1,17 eV à 0 K et 1,12 eV à 300 K (loi de Varshni). La baisse de la tension directe d'une diode d'environ −2 mV/℃ est principalement due à l'augmentation de ni, renforcée par la réduction de la bande interdite. Cette propriété est exploitée par les capteurs de température intégrés aux puces.