전력 반도체

SiC나 GaN처럼 실리콘보다 밴드갭이 큰 반도체의 총칭은 무엇입니까?

  1. A와이드 밴드갭 반도체
  2. B내로 갭 반도체
  3. C비정질 반도체
정답과 해설 보기

정답: A. 와이드 밴드갭 반도체

밴드갭이 대략 3 eV 전후 이상인 반도체를 와이드 밴드갭 반도체라고 하며, SiC(약 3.3 eV)와 GaN(약 3.4 eV)이 대표적입니다. 절연 파괴 전계가 높고 진성 캐리어가 적어 고온에서도 동작하기 쉬우므로, 고내압·저손실 파워 디바이스나 고주파 디바이스에 사용됩니다. 더 큰 Ga2O3(약 4.8 eV)나 다이아몬드(약 5.5 eV)는 울트라 와이드 밴드갭 반도체라고 불립니다.

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