Bipolartransistor

Welche Aussage zum Zustand der Übergänge ist richtig, wenn sich ein Bipolartransistor im Sättigungsbereich befindet?

  1. ABasis-Emitter- und Basis-Kollektor-Übergang sind beide in Durchlassrichtung vorgespannt
  2. BBeide Übergänge sind in Sperrrichtung vorgespannt
  3. CDer Basis-Emitter-Übergang ist in Sperrrichtung, der Basis-Kollektor-Übergang in Durchlassrichtung vorgespannt
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Antwort: A. Basis-Emitter- und Basis-Kollektor-Übergang sind beide in Durchlassrichtung vorgespannt

Im Sättigungsbereich ist neben dem Basis-Emitter-Übergang auch der Basis-Kollektor-Übergang in Durchlassrichtung vorgespannt. Der Kollektorstrom wird von der äußeren Schaltung (VCC/RC usw.) begrenzt und steigt bei höherem Basisstrom kaum noch an. Dabei ist IC/IB kleiner als hFE; dieses Verhältnis heißt „forcierte Stromverstärkung“ (forced β) und dient als Maß für die Sättigungstiefe. Im Ein-Zustand des Schalters ist VCE mit etwa 0,1 bis 0,2 V klein, doch verzögert die Speicherladung das Ausschalten.

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