在p側雜質濃度遠高於n側的PN接面（p+n接面）中，空乏區會如何擴展？

正確答案：A. 主要向雜質濃度低的n側擴展

在空乏區兩側，離子化雜質的電荷量相等（NA·xp = ND·xn）。低濃度側為了得到相同的電荷，需要空乏的範圍較廣，因此在p+n接面中，空乏區大部分向n側擴展。因此耐壓與電容幾乎由低濃度側的濃度決定，計算時也可只以單側來近似（單側陡峭接面）。功率元件的低濃度漂移層就是利用這個特性來承受高電壓。