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DRAM 내부의 TRR(타깃 로우 리프레시)에 의한 로우해머 대책이 연구에서 회피된 적이 있는 이유로 올바른 것은?
- ATRR은 리프레시를 멈추는 구조이므로, TRR이 작동하는 동안에는 오히려 모든 행의 비트가 반전되기 쉬워졌기 때문에
- BTRR은 ECC를 비활성화한 뒤 동작하는 구조이므로, TRR이 작동할 때마다 정정할 수 없는 오류가 늘어나 그것을 통해 공격받았기 때문에
- C추적할 수 있는 행의 수에 한계가 있어 많은 행을 활성화하면 놓치는 행이 생기는 데다, 2행 떨어진 행에서 반전이 일어나는 경우도 있었기 때문에
정답과 해설 보기
정답: C. 추적할 수 있는 행의 수에 한계가 있어 많은 행을 활성화하면 놓치는 행이 생기는 데다, 2행 떨어진 행에서 반전이 일어나는 경우도 있었기 때문에
DRAM 내부의 TRR은 회로 면적의 제약 때문에, 자주 활성화된 행을 소수만 기록하고 그 이웃 행을 추가로 리프레시하는 구조인 것이 많았습니다. 2020년에 공표된 TRRespass에서는 많은 행을 차례로 활성화하는 방법으로 기록이 따라가지 못하게 되어, 보호되지 않는 행에서 비트가 반전되는 것이 제시되었습니다. 2021년에 공표된 Half-Double에서는 2행 떨어진 행에서도 반전이 일어나며, 이웃 행을 보호하기 위한 추가 리프레시(활성화) 자체가 그 바깥쪽 행에 대한 간섭에 더해질 수 있음이 제시되었습니다. 이러한 결과로부터 모든 행의 활성화를 정확하게 세는 구조나 시스템 전체에서의 다층 대책이 요구되게 되었습니다.