Nederlands
Menu

Halfgeleiderfysica

Wat is de driftsnelheid van een elektron met een mobiliteit van 1000 cm²/V·s in een elektrisch veld van 100 V/cm?

  1. A1×10³ cm/s
  2. B1×10⁵ cm/s
  3. C1×10⁷ cm/s
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. 1×10⁵ cm/s

De driftsnelheid is v = μE, dus 1000 cm²/V·s × 100 V/cm = 1×10⁵ cm/s. De eenheid is cm²/V·s × V/cm = cm/s, waarmee het resultaat via de eenheden kan worden gecontroleerd. De evenredigheid geldt echter alleen bij zwakke velden: bij elektronen in silicium vlakt de toename af vanaf ca. 10⁴ V/cm en wordt een maximum bereikt bij ca. 1×10⁷ cm/s (snelheidsverzadiging). Het kanaal van een kleine MOSFET werkt in dit gebied met sterk veld.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Hoe heet de massa die wordt ingevoerd om de beweging van elektronen in een kristal, vanuit de reactie op een externe kracht, op dezelfde manier als die van vrije elektronen te behandelen?
  2. Wat is de juiste betekenis van het Fermi-niveau?
  3. Hoe groot is bij benadering de gatendichtheid in n-type silicium met een donorconcentratie van 1×10¹⁶ cm⁻³ (alle donoren geïoniseerd, intrinsieke ladingdragerdichtheid ni = 1×10¹⁰ cm⁻³)?
  4. Welke uitspraak over het licht dat silicium kan absorberen is juist?
  5. Welk type bandstructuur heeft silicium?