Nederlands
Menu

Siliciumfotonica

Waarom is het bij CPO, waarbij optische componenten en een switch-IC en dergelijke in één package worden geïntegreerd, bijzonder belangrijk om de optische eigenschappen vóór de assemblage op waferniveau te testen?

  1. AOptische componenten geleiden geen licht meer zodra ze uit de wafer zijn gezaagd, zodat de eigenschappen op chipniveau niet kunnen worden gemeten
  2. BAls op waferniveau wordt getest, is een eindtest na de assemblage helemaal niet meer nodig
  3. CAls na de assemblage een defect wordt gevonden, gaan ook goede componenten verloren, waaronder de dure switch-IC
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Als na de assemblage een defect wordt gevonden, gaan ook goede componenten verloren, waaronder de dure switch-IC

Wanneer meerdere chips in één package worden geïntegreerd, wordt het geheel afgekeurd zodra er één defecte chip tussen zit, en gaan ook de dure switch-IC en andere goede componenten verloren. Daarom is het belangrijk vóór de assemblage alleen chips te gebruiken waarvan is bevestigd dat ze goed zijn (KGD: Known Good Die). Bij optische siliciumchips wordt via grating couplers met vezelprobes van bovenaf licht in de wafer ingekoppeld en worden, in combinatie met elektrische probes, onder meer het verlies van golfgeleiders en de eigenschappen van modulatoren en fotodetectoren automatisch gemeten. Een eindtest na de assemblage blijft echter onmisbaar.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumfotonica

  1. Wat is een juiste reden voor een opbouw waarbij een chip met optische componenten (PIC) en een chip met elektronische schakelingen zoals drivers en TIA's (EIC) afzonderlijk worden gemaakt, gestapeld en verbonden?
  2. Wat is de belangrijkste reden waarom bij optische vezelcommunicatie over lange afstanden golflengten rond 1,55 µm (C-band) veel worden gebruikt?
  3. Wat is een juiste reden waarom voor optische verbindingen over relatief korte afstanden binnen datacenters vaak golflengten rond 1,31 µm (O-band) worden gebruikt?
  4. Welke combinatie van de fotonenergie van licht met een golflengte van 1,55 µm en het gedrag ervan in een siliciumgolfgeleider is juist (E [eV] ≈ 1,24 / λ [µm])?
  5. Wat is een juist kenmerk van een structuur waarin een siliciumgolfgeleider (brekingsindex circa 3,5) wordt omgeven door oxide (SiO2, brekingsindex circa 1,45)?