전력 반도체

기생 인덕턴스 10 nH인 배선에서 전류가 10 ns 동안 10 A 변화했을 때, 배선에 생기는 전압은 대략 얼마입니까?

  1. A1 V
  2. B10 V
  3. C100 V
정답과 해설 보기

정답: B. 10 V

인덕턴스에 생기는 전압은 V = L·di/dt이며, 10 nH × (10 A ÷ 10 ns) = 10 V입니다. 10 nH는 배선 불과 1 cm 정도의 인덕턴스에 해당합니다. SiC로 100 A를 수십 ns에 차단하면 수십~100 V 이상의 서지가 되어 소자의 내압을 위협합니다. 그래서 파워 모듈에서는 전류 경로를 가깝게 배치해 자계를 상쇄하는 저인덕턴스 배선이나 소자 가까이의 커패시터가 중시됩니다.

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