Semi-conducteur cristallin mélangeant plusieurs éléments, comme AlGaAs ou InGaN. En faisant varier la composition, on ajuste continûment la bande interdite et le paramètre de maille.
Nom japonais: 混晶半導体
« Semi-conducteur en alliage » apparaît dans 3 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Semi-conducteurs composés.
Domaine: Semi-conducteurs composés
Réponse : B. Loi de Vegard
La loi de Vegard est une règle empirique selon laquelle le paramètre de maille d'un alliage est l'interpolation linéaire, selon la composition, des paramètres de maille de ses constituants. Par exemple, pour InxGa1-xAs, on relie linéairement GaAs (0,565 nm) et InAs (0,606 nm) et l'on obtient x ≈ 0,53 pour coïncider avec InP (0,587 nm). La bande interdite s'écarte souvent de la droite vers le bas (bowing) ; on ajoute alors un terme correctif du second ordre.
Dans un semi-conducteur en alliage, la variation de la composition permet d'ajuster de façon continue la bande interdite et le paramètre de maille.
Quel est l'avantage des semi-conducteurs en alliage tels qu…Le SiGe est un semi-conducteur en alliage obtenu en mélangeant en proportion quelconque le silicium et le germanium, tous deux du groupe IV.
Quelle est la classification correcte du silicium-germanium…Bande interdite (bandgap) GaAs (arséniure de gallium) Loi de Vegard InP (phosphure d'indium) HEMT (transistor à haute mobilité électronique) SiGe (silicium-germanium) HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) GAA (grille enrobante, gate-all-around) Chute d'efficacité (efficiency droop) Ga2O3 (oxyde de gallium)