Quelle expression donne la capacité de déplétion (capacité de jonction) C d'une jonction PN polarisée en inverse, en fonction de la surface A de la jonction, de la largeur W de la zone de déplétion et de la permittivité ε du semi-conducteur ?

Réponse : A. C = εA / W

La zone de déplétion se comportant comme une couche isolante chargée de part et d'autre, elle s'exprime comme un condensateur plan : C = εA/W. Lorsque W s'élargit en polarisation inverse, la capacité diminue. Par exemple, pour du silicium avec une surface de 100 µm de côté et W = 1 µm, C ≈ 11,7 × 8,85×10⁻¹² × 10⁻⁸ ÷ 10⁻⁶ ≈ 1 pF. Dans les circuits rapides, cette capacité est source de retard ; on la réduit en diminuant la surface de jonction ou le dopage.