Jonction PN et diodes
Quel mécanisme du claquage par avalanche est correct ?
- ADes porteurs accélérés par un champ intense heurtent le réseau et créent de nouvelles paires électron-trou, qui se multiplient en chaîne
- BLes électrons traversent une barrière mince par effet quantique
- CLa jonction fond sous l'effet de l'élévation de température
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Réponse : A. Des porteurs accélérés par un champ intense heurtent le réseau et créent de nouvelles paires électron-trou, qui se multiplient en chaîne
Dans le claquage par avalanche, les porteurs accélérés par le champ intense de la zone de déplétion heurtent des atomes et créent des paires électron-trou (ionisation par impact) ; celles-ci sont à leur tour accélérées et répètent les collisions, d'où une brusque augmentation du courant. Le champ critique du silicium vaut environ 3×10⁵ V/cm ; le claquage survient à une tension d'autant plus élevée que la jonction est faiblement dopée et sa zone de déplétion large. Le champ critique du SiC étant environ 10 fois plus élevé, la même tenue en tension s'obtient avec une couche de dérive mince, ce qui donne des composants de puissance à faibles pertes.