次世代メモリ

抵抗変化素子を縦横の配線の交点に配置するクロスポイント型メモリで、選択していないセルに電流が回り込むのを防ぐために、記憶素子と直列に入れる素子はどれか。

  1. Aキャパシタ
  2. Bインダクタ
  3. Cセレクタ(選択素子)
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正解:C. セレクタ(選択素子)

クロスポイント型では、各交点にトランジスタを置かないため高密度にできますが、選択していないセルを通る回り込み電流(スニーク電流)が読み出しを妨げます。そこで、一定の電圧以下ではほとんど電流を流さないセレクタ素子を記憶素子と直列に入れて、回り込みを抑えます。

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