Pourquoi la couche conductrice formée en terminant la surface par de l'hydrogène est-elle étudiée comme canal pour les transistors en semi-conducteur diamant ?

Réponse : A. Une fine couche de trous se forme juste sous la surface, ce qui permet de réaliser des transistors à canal p qui contournent le problème des niveaux de dopants profonds

Dans un semi-conducteur diamant, les niveaux du bore et du phosphore sont profonds, si bien qu'il est difficile d'obtenir assez de porteurs à température ambiante. Lorsque la surface est terminée par de l'hydrogène, des échanges d'électrons avec les substances adsorbées forment un gaz bidimensionnel de trous juste sous la surface. L'adsorption de NO2 ou de molécules similaires augmente la densité de trous, et des MOSFET à canal p utilisant cette couche comme canal sont étudiés. En 2023, l'université de Saga a annoncé le fonctionnement d'un circuit de puissance utilisant des MOSFET en diamant dans lesquels les trous sont induits par NO2.