Claquage Zener vs avalanche : mécanisme, dopage, température
Ce sont deux phénomènes de claquage où le courant augmente brusquement lorsqu’une forte tension inverse est appliquée à une jonction PN, mais leurs mécanismes diffèrent. Le claquage Zener se produit dans une jonction fortement dopée dont la zone de déplétion est très mince : les électrons de la bande de valence traversent par effet tunnel vers la bande de conduction. Le claquage par avalanche se produit lorsque des porteurs accélérés par un champ intense créent des paires électron-trou par ionisation par impact, qui se multiplient en chaîne. Dans le silicium, le claquage Zener domine pour des tensions de claquage inférieures à environ 5 V et l’avalanche au-delà d’environ 6 à 7 V, et leurs coefficients de température sont de signes opposés.
| Critère | Claquage Zener | Claquage par avalanche |
|---|---|---|
| Mécanisme | Effet tunnel. Les électrons de la bande de valence traversent une barrière mince vers la bande de conduction | Ionisation par impact. Les porteurs accélérés par le champ créent de nouvelles paires électron-trou, qui se multiplient en chaîne |
| Dopage de la jonction | Très élevé des deux côtés | Faible d’au moins un côté. Plus il est faible, plus la tension de claquage est élevée |
| Largeur de la zone de déplétion | Très mince (environ 10 nm ou moins) | Large. Il faut une distance pour accélérer les porteurs |
| Champ au claquage (silicium, ordre de grandeur) | Champ très intense, de l’ordre de 10⁶ V/cm | Environ 3×10⁵ V/cm (varie avec le dopage) |
| Tension de claquage (silicium, ordre de grandeur) | Environ 5 V ou moins. Entre environ 5 V et environ 6 à 7 V, les deux mécanismes coexistent | Environ 6 à 7 V ou plus. Les jonctions haute tension de quelques centaines à quelques milliers de volts sont aussi limitées par ce claquage |
| Coefficient de température de la tension de claquage | Négatif. Quand la température monte, la bande interdite se réduit et la tension de claquage baisse | Positif. Quand la température monte, la diffusion par les vibrations du réseau augmente et la tension de claquage monte |
| Apparition du claquage | Relativement progressive | Abrupte |
| Bruit | Relativement faible | Élevé, en raison du bruit lié à la multiplication par avalanche |
| Usages principaux | Diodes de référence de tension d’environ 5 V ou moins, références et écrêteurs basse tension | Diodes de référence de tension à partir d’environ 6 V, diodes de suppression de surtensions, photodiodes à avalanche, SPAD |
Les valeurs indiquées sont des ordres de grandeur typiques et varient selon la génération de procédé et le produit.