Was ist Read Disturb?

Bei NAND-Flash die allmähliche Verschiebung der Schwellenspannung ungelesener Zellen durch die schwache Spannung, die beim vielfachen Lesen desselben Blocks an sie angelegt wird.

Japanische Bezeichnung: リードディスターブ

Fachgebiet: SRAM und Flash-Speicher

Verwandte Begriffe

3D-NAND (3D NAND) 6T-SRAM-Zelle Charge-Trap-Zelle (charge-trap cell) Floating Gate Fowler-Nordheim-Tunneln (Fowler-Nordheim tunneling) Garbage Collection NAND-Flash-Speicher Nichtflüchtiger Speicher NOR-Flash-Speicher NVMe

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