Für welche Anwendung werden Verbindungshalbleiter auf InP-Basis hauptsächlich eingesetzt?

Antwort: A. Laser und Photodetektoren für die Glasfaserkommunikation

InGaAsP und ähnliche auf InP-Substraten hergestellte Materialien lassen sich über die Zusammensetzung in ihrer Bandlücke einstellen und können Licht im 1,3-µm-Band (geringe Dispersion) und im 1,55-µm-Band (minimale Dämpfung von etwa 0,2 dB/km) emittieren und detektieren, in denen die Glasfaserverluste klein sind. Sie werden daher in Halbleiterlasern, Modulatoren und Photodioden für die optische Kommunikation verwendet, und ihre Bedeutung wächst mit der steigenden Nachfrage nach optischen Transceivern in Rechenzentren. Auch für ultraschnelle HBTs und HEMTs kommen sie zum Einsatz.