Bipolartransistor

Welche Kombination aus Technologie und Ziel für die Integration von Bipolartransistoren und CMOS auf demselben Chip ist richtig?

  1. ASOI: Das Substrat wird durch eine Isolierschicht getrennt
  2. BBiCMOS: Kombination aus hoher Integration und geringem Verbrauch von CMOS mit der Geschwindigkeit und Treiberfähigkeit von Bipolartransistoren
  3. CFinFET: Der Kanal wird dreidimensional ausgeführt
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Antwort: B. BiCMOS: Kombination aus hoher Integration und geringem Verbrauch von CMOS mit der Geschwindigkeit und Treiberfähigkeit von Bipolartransistoren

BiCMOS ist eine Technologie, die für Logikschaltungen und Speicher das hochintegrierte, verbrauchsarme CMOS und für schnelle Schaltungen, die Ansteuerung großer Lasten sowie analoge und Hochfrequenzschaltungen Bipolartransistoren einsetzt. In den 1990er Jahren wurde sie auch in CPUs und SRAMs verwendet, doch wurde mit sinkender Spannung das VBE der Bipolartransistoren (etwa 0,7 V) zum Hindernis, und im Digitalbereich wird sie nicht mehr eingesetzt. Heute wird SiGe-BiCMOS mit SiGe-HBTs in Kommunikations-ICs und Kfz-Radar verwendet.

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