シリコンフォトニクス

出力+3 dBmのレーザー光が、合計10 dBの損失(ファイバとの結合、導波路、変調器など)を経て受光器に届いた。受光パワーに最も近いものはどれか。

  1. A約0.2 mW(−7 dBm)
  2. B約20 mW(+13 dBm)
  3. C約0.05 mW(−13 dBm)
答えと解説を見る

正解:A. 約0.2 mW(−7 dBm)

dBmは1 mWを基準にした絶対的なパワーの単位で、0 dBmが1 mW、+3 dBmが約2 mW、−10 dBmが0.1 mWです。損失はdBで引き算すればよく、3 − 10 = −7 dBm、10^(−0.7) ≈ 0.2 mWとなります。このように送信パワーから損失を引き、受光器が必要とする最小のパワー(受信感度)を上回るかを確かめる計算をリンクバジェット(パワーバジェット)と呼びます。+13 dBmは損失を足してしまった値、−13 dBmは送信パワーの符号を誤った値です。

この分野を解く 分野ページへ

シリコンフォトニクスの参考書を探す PR

Amazonの検索結果へのリンクです。Amazonのアソシエイトとして、半導体教室は適格販売により収入を得ています。

シリコンフォトニクスのほかの問題

  1. シリコンフォトニクスで使われるSOIウエハの埋め込み酸化膜(BOX層)の主な役割はどれか。
  2. 両側に薄いシリコンの板(スラブ)を残して浅くエッチングしたリブ導波路が、シリコンの光変調器によく使われる主な理由はどれか。
  3. 光ファイバとシリコンの光回路をつなぐグレーティングカプラの利点として正しいものはどれか。
  4. チップの端面で光ファイバと結合するエッジカプラの、グレーティングカプラと比べた特徴として正しいものはどれか。
  5. エッジカプラで、チップの端に向かってシリコン導波路の幅を細くしていく逆テーパ構造が使われる理由はどれか。