Hoe heet het verschijnsel waarbij bij een voorwaartse stroom door een PIN-diode grote hoeveelheden ladingdragers in de i-laag worden geïnjecteerd en de weerstand sterk daalt?

Antwoord: B. Geleidbaarheidsmodulatie

De i-laag met weinig onzuiverheden is van nature hoogohmig, maar bij voorwaartse stroom worden grote aantallen elektronen en gaten vanuit de p- en n-laag geïnjecteerd, en door ladingdragers ruim boven de dopingconcentratie daalt de weerstand sterk. Dit is geleidbaarheidsmodulatie, waarmee in een dikke driftlaag een hoge doorslagspanning kan worden gewaarborgd terwijl de aan-spanning laag blijft. Het is een sleutelmechanisme van IGBT’s en diodes met hoge doorslagspanning, maar omdat de opgeslagen ladingdragers moeten worden verwijderd, wordt het schakelen trager.