Vermogenshalfgeleiders

Welke materiaaleigenschap werkt bijzonder sterk door in de “Baliga figure of merit”, waarmee de materialen voor unipolaire vermogenscomponenten worden vergeleken?

  1. ARoosterconstante
  2. BKritiek doorslagveld (werkt in de derde macht door)
  3. CThermische uitzettingscoëfficiënt
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Kritiek doorslagveld (werkt in de derde macht door)

De Baliga figure of merit wordt met de permittiviteit ε, de mobiliteit μ en het kritieke doorslagveld Ec uitgedrukt als εμEc³ en is een maat voor hoe klein de weerstand van de driftlaag bij dezelfde doorslagspanning kan zijn (hoe groter, hoe beter). Omdat het kritieke doorslagveld in de derde macht doorwerkt, hebben SiC en GaN met een Ec dat ca. 10 keer dat van Si is, een index die honderden malen die van Si bedraagt, ook als hun mobiliteit gelijk is aan of lager dan die van Si. Dit is ook de reden waarom Ga2O3 en diamant met een nog groter Ec worden verwacht als materialen van de volgende generatie.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Wat is de belangrijkste reden dat SiC (siliciumcarbide) voordelen heeft ten opzichte van Si voor vermogenscomponenten met hoge doorslagspanning?
  2. Welke uitspraak over de IGBT is juist?
  3. Wat is het juiste kanaal waardoor de stroom vloeit in een GaN-HEMT?
  4. Welke uitspraak over het verband tussen doorslagspanning en aan-weerstand bij silicium-vermogens-MOSFET’s is juist?
  5. Wat is de belangrijkste rol van een omvormer (inverter) in de vermogenselektronica?

Vergelijkingen bij dit onderwerp