Siliciumfotonica

Wat is bij fotonisch-elektronische convergentie het belangrijkste doel van het plaatsen van optische transceivers vlak naast elektronische schakelingen?

  1. ALange elektrische bedrading overbodig maken, zodat verlies en vermogen afnemen, en de afstand verkorten vanaf waar optische transmissie voordeliger wordt
  2. BOptische componenten gemakkelijk aan het frontpaneel te kunnen uittrekken en vervangen
  3. CElektrisch-optische omzetting overbodig maken en alle berekeningen alleen met licht uitvoeren
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Lange elektrische bedrading overbodig maken, zodat verlies en vermogen afnemen, en de afstand verkorten vanaf waar optische transmissie voordeliger wordt

Elektrische bedrading verliest meer naarmate signalen sneller en afstanden langer worden, en de schakelingen die dat compenseren verbruiken vermogen. Optisch verlies is op de schaal van een datacenter vrijwel onafhankelijk van de afstand, maar elektrisch-optische omzetting kost vermogen. Fotonisch-elektronische convergentie plaatst optische componenten vlak naast elektronische schakelingen om lange elektrische bedrading overbodig te maken en het omzettingsvermogen te verkleinen, waardoor de afstand korter wordt vanaf waar optiek de betere keuze is. CPO is een typische vorm daarvan, en latere stappen hebben tot doel verbindingen tussen en binnen chips optisch te maken.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Verwante rekentools

Meer vragen over Siliciumfotonica

  1. Wat is de belangrijkste reden dat elektrische bedrading naar verwachting in gebruik blijft voor zeer korte verbindingen, zoals die binnen een chip, ook al vordert fotonisch-elektronische convergentie?
  2. Wat is de belangrijkste reden waarom bij optische vezelcommunicatie over lange afstanden golflengten rond 1,55 µm (C-band) veel worden gebruikt?
  3. Wat is een juiste reden waarom voor optische verbindingen over relatief korte afstanden binnen datacenters vaak golflengten rond 1,31 µm (O-band) worden gebruikt?
  4. Welke combinatie van de fotonenergie van licht met een golflengte van 1,55 µm en het gedrag ervan in een siliciumgolfgeleider is juist (E [eV] ≈ 1,24 / λ [µm])?
  5. Wat is een juist kenmerk van een structuur waarin een siliciumgolfgeleider (brekingsindex circa 3,5) wordt omgeven door oxide (SiO2, brekingsindex circa 1,45)?

Vergelijkingen bij dit onderwerp