Siliciumfotonica

Wat is de belangrijkste reden dat elektrische bedrading naar verwachting in gebruik blijft voor zeer korte verbindingen, zoals die binnen een chip, ook al vordert fotonisch-elektronische convergentie?

  1. ALicht heeft een hoger voortplantingsverlies over kortere afstanden
  2. BOptische vezels en golfgeleiders kunnen niet kort worden gesneden of gemaakt
  3. COptische transmissie vereist elektrisch-optische omzetting, waarvan het vermogen en de latentie groter kunnen zijn dan het verlies van een korte elektrische verbinding
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Optische transmissie vereist elektrisch-optische omzetting, waarvan het vermogen en de latentie groter kunnen zijn dan het verlies van een korte elektrische verbinding

Een signaal optisch versturen vereist dat aan de zendkant elektriciteit in licht wordt omgezet (modulatie) en aan de ontvangstkant weer terug (detectie en versterking), en elke stap voegt vermogen en latentie toe. Het verlies van elektrische bedrading groeit met de afstand, dus over lange afstanden wint optiek, maar over zeer korte afstanden kan de omzettingsoverhead groter zijn. Het doel van fotonisch-elektronische convergentie is de omzettingsefficiëntie te verhogen en de afstand te verkorten vanaf waar optiek loont.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Verwante rekentools

Meer vragen over Siliciumfotonica

  1. Wat is de belangrijkste reden waarom bij optische vezelcommunicatie over lange afstanden golflengten rond 1,55 µm (C-band) veel worden gebruikt?
  2. Wat is een juiste reden waarom voor optische verbindingen over relatief korte afstanden binnen datacenters vaak golflengten rond 1,31 µm (O-band) worden gebruikt?
  3. Welke combinatie van de fotonenergie van licht met een golflengte van 1,55 µm en het gedrag ervan in een siliciumgolfgeleider is juist (E [eV] ≈ 1,24 / λ [µm])?
  4. Wat is een juist kenmerk van een structuur waarin een siliciumgolfgeleider (brekingsindex circa 3,5) wordt omgeven door oxide (SiO2, brekingsindex circa 1,45)?
  5. Welke waarde ligt het dichtst bij de kritische hoek voor totale reflectie (gemeten vanaf de normaal op het grensvlak) wanneer licht van silicium met brekingsindex 3,48 naar oxide met brekingsindex 1,45 gaat?

Vergelijkingen bij dit onderwerp