Siliciumfotonica

Wat is een juist kenmerk van optische verbindingen die een VCSEL rond 850 nm combineren met multimodevezel?

  1. ADe componenten zijn goedkoop en uitlijnen is eenvoudig, maar het bereik is beperkt tot korte afstanden van enkele tientallen tot enkele honderden m
  2. BZe gebruiken de golflengteband met het laagste vezelverlies en zijn daarom de standaard voor communicatie over lange afstanden van meer dan enkele honderden km
  3. CSilicium laat licht van 850 nm goed door, zodat ze optimaal zijn voor directe aansluiting op siliciumgolfgeleiders
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. De componenten zijn goedkoop en uitlijnen is eenvoudig, maar het bereik is beperkt tot korte afstanden van enkele tientallen tot enkele honderden m

Een VCSEL is een oppervlakte-emitterende laser die op de wafer kan worden getest, goedkoop in massa kan worden geproduceerd en weinig energie verbruikt. Multimodevezel heeft een dikke kern met een diameter van bijvoorbeeld 50 µm, zodat uitlijnen eenvoudig is. Daarom wordt deze combinatie veel gebruikt voor korte verbindingen tussen servers en switches binnen en tussen racks. Anderzijds treedt in multimodevezel modale dispersie op, waarbij de aankomsttijden van de verschillende voortplantingswijzen (modi) verschillen, zodat het bereik korter wordt naarmate de snelheid stijgt (circa 50–100 m bij 100 Gb/s per lane), en ook het vezelverlies is bij 850 nm met circa 3 dB/km relatief groot. Silicium absorbeert licht van 850 nm en kan daarvoor niet als golfgeleider worden gebruikt.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Siliciumfotonica

  1. Waarom wordt bij het bevestigen van singlemodevezel aan een optische siliciumchip vaak actieve uitlijning toegepast, waarbij laserlicht daadwerkelijk wordt doorgestuurd en de positie wordt afgesteld terwijl de uitgang wordt gemeten?
  2. Wat is de belangrijkste reden waarom siliciumfotonica geschikt wordt geacht voor massaproductie in halfgeleiderfabrieken?
  3. Wat wordt beschouwd als een van de belangrijkste oorzaken van het propagatieverlies (dB/cm) van siliciumgolfgeleiders?
  4. Welke beschrijving van de cutback-methode om het propagatieverlies van siliciumgolfgeleiders te meten, is juist?
  5. Waarom is het bij CPO, waarbij optische componenten en een switch-IC en dergelijke in één package worden geïntegreerd, bijzonder belangrijk om de optische eigenschappen vóór de assemblage op waferniveau te testen?