速度飽和란?

そくどほうわ

強い電界の下で、キャリアのドリフト速度が電界に比例せず、約1×10⁷ cm/sで頭打ちになる現象。短チャネルのMOSFETでは、ドレイン電流が2乗則より小さくなる原因になる。

일본어 명칭: 速度飽和

분야: MOSFET

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貫通電流 基板バイアス効果 短チャネル効果 反転層 相互コンダクタンス CMOS DIBL GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) LDD構造 サブスレッショルドスイング

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