速度飽和란?
そくどほうわ
強い電界の下で、キャリアのドリフト速度が電界に比例せず、約1×10⁷ cm/sで頭打ちになる現象。短チャネルのMOSFETでは、ドレイン電流が2乗則より小さくなる原因になる。
일본어 명칭: 速度飽和
분야: MOSFET
そくどほうわ
強い電界の下で、キャリアのドリフト速度が電界に比例せず、約1×10⁷ cm/sで頭打ちになる現象。短チャネルのMOSFETでは、ドレイン電流が2乗則より小さくなる原因になる。
일본어 명칭: 速度飽和
분야: MOSFET
貫通電流 基板バイアス効果 短チャネル効果 反転層 相互コンダクタンス CMOS DIBL GIDL(ゲート誘起ドレインリーク) LDD構造 サブスレッショルドスイング