반도체 물리

페르미 준위의 의미로 올바른 것은?

  1. A가전자대 상단의 에너지
  2. B전도대 하단의 에너지
  3. C전자가 점유할 확률이 정확히 1/2이 되는 에너지
정답과 해설 보기

정답: C. 전자가 점유할 확률이 정확히 1/2이 되는 에너지

페르미 준위는 페르미-디랙 분포에서 전자의 점유 확률이 정확히 1/2이 되는 에너지로, 전자의 「수위」와 같은 것입니다. 진성 반도체에서는 갭의 거의 중앙, n형에서는 전도대 쪽, p형에서는 가전자대 쪽에 있습니다. 열평형에서는 접합한 물질끼리 페르미 준위가 일직선으로 맞춰지며, 그 결과 PN 접합의 내장 전위나 MOS의 플랫 밴드 전압이 생깁니다. 전압을 가하면 양쪽의 페르미 준위는 qV만큼 어긋납니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

반도체 물리의 다른 문제

  1. 도너 농도 1×10¹⁶ cm⁻³인 n형 실리콘(도너는 모두 이온화, 진성 캐리어 밀도 ni = 1×10¹⁰ cm⁻³)의 정공 밀도는 대략 얼마인가?
  2. 실리콘이 흡수할 수 있는 빛으로 올바른 것은?
  3. 실리콘의 밴드 구조 종류로 올바른 것은?
  4. 홀 효과 측정으로 알 수 있는 것으로 올바른 것은?
  5. 불순물 농도가 매우 높아 페르미 준위가 전도대나 가전자대 안으로 들어간 반도체를 무엇이라 하는가?