한국어
메뉴

하드웨어 보안의 최신 동향

전원 전압을 한순간만 낮추는 전압 글리치로 칩이 오동작하는 주된 이유로 올바른 것은?

  1. A전압이 내려간 순간 칩 안의 레지스터나 메모리에 있는 모든 데이터가 0으로 지워져, 전원을 켠 직후의 상태로 돌아가 버리기 때문에
  2. B전압이 내려가면 칩 안의 클록 발진 회로의 주파수가 자동으로 올라가, 그에 맞춰 명령 실행이 빨라지기 때문에
  3. C전압이 내려가면 트랜지스터가 느려져 신호가 다음 클록까지 플립플롭에 도달하지 못하고, 잘못된 값이 들어가기 때문에
정답과 해설 보기

정답: C. 전압이 내려가면 트랜지스터가 느려져 신호가 다음 클록까지 플립플롭에 도달하지 못하고, 잘못된 값이 들어가기 때문에

트랜지스터는 전원 전압이 내려가면 흘릴 수 있는 전류가 줄어 게이트 지연이 커집니다. 클록 주기 안에 신호가 도달한다는, 설계에서 확인한 타이밍 조건(셋업 시간)이 충족되지 않게 되면, 플립플롭은 잘못된 값을 받아들입니다. 그 결과 비교 결과가 바뀌거나 분기나 명령을 건너뛰어, 서명 확인을 건너뛰게 되는 일이 있습니다. 클록에 너무 짧은 주기를 섞는 클록 글리치도 마찬가지로 타이밍 조건을 깨뜨려 오동작을 일으킵니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

하드웨어 보안의 최신 동향의 다른 문제

  1. 오류 주입 공격 중 레이저를 사용하는 방법과 전자기 펄스를 사용하는 방법의 특징 조합으로 올바른 것은?
  2. 어떤 오류 주입 시도가 1회에 성공할 확률이 0.1%이고, 각 회의 결과는 서로 독립이라고 한다. 1,000회 시도했을 때 적어도 1회 성공할 확률에 가장 가까운 것은?
  3. 펌웨어 서명 확인을 오류 주입의 1회 시도로 건너뛸 확률이 1/1,000이라고 한다. 같은 확인을 2곳에서 수행하여, 둘 다 건너뛰지 않으면 공격이 성공하지 않도록 했다. 1회 시도로 2곳을 동시에 노릴 수 있고, 각각이 건너뛰어지는 것은 서로 독립적으로 확률 1/1,000로 일어날 때, 공격이 성공할 때까지의 시도 횟수의 기댓값은?
  4. 기밀 컴퓨팅에 쓰이는 TEE 중 가상 머신 전체를 보호하는 VM형(AMD SEV-SNP, Intel TDX 등)과 애플리케이션의 일부를 보호하는 엔클레이브형(Intel SGX 등)의 차이에 대한 설명으로 올바른 것은?
  5. VM형 TEE에서 가상 머신의 메모리를 암호화하는 것만으로는 불충분하다고 여겨져, AMD의 SEV-SNP처럼 메모리의 무결성을 보호하는 구조가 추가된 이유로 올바른 것은?