PN-Übergang und Diode

Wie groß ist der Kleinsignalwiderstand (dynamische Widerstand) einer idealen Siliziumdiode, die in Durchlassrichtung mit 1 mA Strom betrieben wird, bei Raumtemperatur ungefähr? (kT/q ≈ 26 mV)

  1. AEtwa 260 Ω
  2. BEtwa 26 Ω
  3. CEtwa 2,6 Ω
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: B. Etwa 26 Ω

Der dynamische Widerstand einer Diode ist der Kehrwert der Steigung der Strom-Spannungs-Kennlinie und beträgt rd = nkT/(qI). Für n = 1 und I = 1 mA ergibt sich rd = 26 mV ÷ 1 mA = 26 Ω. Da er umgekehrt proportional zum Strom ist, sind es bei 10 mA 2,6 Ω und bei 0,1 mA 260 Ω. In der Kleinsignal-Wechselstromanalyse wird die Diode durch diesen Widerstand ersetzt; derselbe Gedanke steckt hinter dem Emitterwiderstand re = 26 mV/IE von Bipolartransistoren.

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