Comment évolue la densité de porteurs intrinsèques lorsque la température d'un semi-conducteur intrinsèque augmente ?

Réponse : A. Elle augmente

Lorsque la température augmente, les électrons de la bande de valence franchissent plus facilement la bande interdite grâce à l'énergie thermique, et les paires électron-trou se multiplient. La densité de porteurs intrinsèques suit ni ∝ T^(3/2)·exp(−Eg/2kT) ; dans le silicium, elle double environ tous les 10 ℃ au voisinage de la température ambiante. Cette forte croissance explique l'augmentation du courant de fuite inverse des jonctions pn à haute température, et la tenue en température des matériaux à large bande interdite comme le SiC et le GaN.