電力電子電路
閘極驅動電壓為10 V，忽略閘極電荷以外的電流。以自舉電路驅動高側MOSFET時，要使閘極電荷100 nC的MOSFET導通一次時自舉電容的電壓下降在0.5 V以下，所需電容值的最小值為下列何者？
- A10 nF
- B50 nF
- C200 nF
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正確答案：C. 200 nF
使MOSFET導通時，自舉電容把電荷 Qg 交給閘極，電壓因此下降 ΔV = Qg/C。要使 ΔV ≤ 0.5 V，需要 C ≥ Qg/ΔV = 100 nC ÷ 0.5 V = 200 nF。實際上考慮閘極驅動電路的消耗電流、漏電流與元件的誤差，常選擇這個值的10倍左右（約2 µF）。電容在下側開關導通期間充電，因此不適合讓上側長時間持續導通的用途。
- A. 這是把電荷除以驅動電壓10 V的值，是電容電壓會一路降到0的電容值。
- B. 這是把電荷與電壓下降相乘的值，連單位都不一致。
- C. 正確。100 nC ÷ 0.5 V = 200 nF。