Wat is de juiste verklaring waarom wordt gezegd dat Rowhammer gemakkelijker optreedt naarmate DRAM verder wordt verkleind?

Antwoord: B. Cellen komen dichter bij elkaar te liggen en slaan minder lading op, waardoor ze gevoeliger worden voor interferentie door het activeren van naburige rijen

Bij elke activering van een rij zwaait de potentiaal van de woordlijn sterk, waardoor de lading van cellen in nabije rijen gemakkelijker weglekt. Als de afstand tussen cellen door verkleining kleiner wordt, wordt de interferentie sterker, terwijl de kleinere celcapaciteit ook de marge tot het omklappen van een bit verkleint. Onderzoek heeft een tendens gemeld dat nieuwere generaties DRAM minder activeringen nodig hebben tot het eerste omgeklapte bit. Daarom worden tegenmaatregelen tegen Rowhammer met elke nieuwe generatie DRAM belangrijker.