다이아몬드 반도체에서 인을 첨가한 n형 층의 실온 전자 밀도가 첨가한 인의 농도보다 훨씬 작아지는 주된 이유로 올바른 것은?

정답: B. 인의 도너 준위가 전도대로부터 약 0.57 eV로 깊어 실온에서는 거의 이온화되지 않기 때문에

도너가 전자를 내놓으려면 도너 준위에서 전도대까지 전자를 열로 끌어올려야 합니다. 실리콘 속 인의 준위는 전도대로부터 약 0.045 eV로 얕아 실온에서 거의 모두 이온화됩니다. 다이아몬드 반도체에서는 인의 준위가 약 0.57 eV로 깊어 실온의 열에너지(약 0.026 eV)보다 훨씬 크므로, 대부분의 인이 전자를 내놓지 않습니다. p형의 붕소도 약 0.37 eV로 깊은 편이어서, 도핑의 어려움이 다이아몬드 소자 개발의 큰 과제가 되고 있습니다.