Quelle affirmation sur les modèles de cohérence mémoire faibles comme ceux d’ARM ou de RISC-V (RVWMO) est correcte ?

Réponse : A. Ils autorisent de nombreux réordonnancements de lectures et écritures sur des adresses différentes, et le programme insère des barrières, etc., là où l’ordre est nécessaire

Dans un modèle faible, le matériel peut réordonner assez librement les lectures et écritures sur des adresses différentes sans dépendance. Cela simplifie les circuits et améliore performances et efficacité énergétique, mais pour échanger des données avec d’autres cœurs, il faut expliciter l’ordre avec des instructions fence ou des lectures et écritures à sémantique acquire/release. Dans les langages de haut niveau, l’emploi de variables atomiques fait générer au compilateur les instructions appropriées.