PN-Übergang und Diode

Welches Merkmal von PIN-Dioden mit einer schwach dotierten i-Schicht zwischen p- und n-Schicht ist richtig?

  1. ASie können Strom verstärken
  2. BDie Durchlassspannung wird 0 V
  3. CDie i-Schicht wird zu einer breiten Raumladungszone, was für hohe Sperrspannung und für schnelle, empfindliche Fotodetektoren geeignet ist
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: C. Die i-Schicht wird zu einer breiten Raumladungszone, was für hohe Sperrspannung und für schnelle, empfindliche Fotodetektoren geeignet ist

Bei der PIN-Diode wirkt die gesamte schwach dotierte i-Schicht als Raumladungszone. Da die breite Raumladungszone hohe Spannungen tragen kann, eignet sie sich für Gleichrichterdioden mit hoher Sperrspannung, und da der Lichtabsorptionsbereich breit und die Sperrschichtkapazität klein ist, für schnelle, empfindliche Fotodetektoren. In Durchlassrichtung sinkt durch Leitfähigkeitsmodulation der Widerstand der i-Schicht, in Sperrrichtung ist er hoch; deshalb werden sie auch in Schaltern und variablen Dämpfungsgliedern für Hochfrequenzsignale verwendet. Eine Stromverstärkung leisten sie nicht.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu PN-Übergang und Diode

  1. Welches Merkmal von Lawinenfotodioden (APD) ist richtig?
  2. Wie verhält sich der Strom in der Diodengleichung I = Is {exp(qV / nkT) − 1}, wenn im Bereich ohne Durchbruch eine große Spannung in Sperrrichtung angelegt wird?
  3. Welchen Zweck hat eine parallel zu einer induktiven Last wie einer Relaisspule geschaltete Diode (Freilaufdiode)?
  4. Welche Kapazität eines in Durchlassrichtung vorgespannten PN-Übergangs entsteht durch die Ansammlung injizierter Minoritätsträger?
  5. Welcher Zusammenhang zwischen Breite der Raumladungszone eines einseitig abrupten Übergangs und Sperrspannung V ist richtig? (wenn V deutlich größer als die Diffusionsspannung ist)