Halbleiterindustrie und Markt

Welche Aussage zu Generationsbezeichnungen (Knotennamen) fortgeschrittener Prozesse wie „3-nm-Generation“ ist zutreffend?

  1. ASie bedeutet, dass die Gatelänge genau 3 nm beträgt
  2. BSie bedeutet, dass der Wafer 3 nm dick ist
  3. CSie ist in letzter Zeit eine Generationsbezeichnung, die nicht zwingend mit tatsächlichen physikalischen Abmessungen wie der Gatelänge übereinstimmt
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Antwort: C. Sie ist in letzter Zeit eine Generationsbezeichnung, die nicht zwingend mit tatsächlichen physikalischen Abmessungen wie der Gatelänge übereinstimmt

Früher entsprachen Prozessgenerationsnamen grob Abmessungen wie der Gatelänge; seit der Einführung von FinFET u. Ä. sind sie jedoch Bezeichnungen für Leistungs- und Dichtesteigerungen, die nicht mehr direkt den tatsächlichen Abmessungen entsprechen. Selbst bei der „3-nm-Generation“ liegt der Abstand zwischen Transistoren beispielsweise bei 40 nm oder mehr. Da die Dichte bei gleichem Namen je nach Unternehmen verschieden ist, werden für Vergleiche Kenngrößen wie die Transistordichte verwendet.

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