PN-overgang en diode

Welke waarde ligt het dichtst bij de theoretische bovengrens van het omzettingsrendement van een zonnecel met één junctie (Shockley-Queisser-limiet)?

  1. Aca. 100 %
  2. Bca. 80 %
  3. Cca. 33 %
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. ca. 33 %

In een zonnecel met één pn-junctie kan licht met een energie kleiner dan de kloof niet worden geabsorbeerd, en gaat het overschot van licht met een grotere energie als warmte verloren. Daarom is zelfs bij de optimale bandkloof (ca. 1,34 eV) de theoretische bovengrens van het rendement ca. 33 % (Shockley-Queisser-limiet). Voor silicium (1,12 eV) wordt ca. 29 tot 30 % als praktische grens beschouwd, en in massaproductie worden cellen van rond de 25 % bereikt. Om de grens te overschrijden worden multijuncties gebruikt, waarbij cellen met verschillende kloof op elkaar worden gestapeld.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over PN-overgang en diode

  1. Wat gebeurt er in het algemeen met de doorslagspanning van lawinedoorslag wanneer de temperatuur stijgt?
  2. Hoe heet het verschijnsel waarbij bij een voorwaartse stroom door een PIN-diode grote hoeveelheden ladingdragers in de i-laag worden geïnjecteerd en de weerstand sterk daalt?
  3. Wat kan worden beoordeeld door de capaciteit van een pn-junctie in sperrichting te meten terwijl de spanning wordt gevarieerd (C-V-meting)?
  4. Hoe heet de aansluiting aan de p-type zijde van de twee aansluitingen van een pn-junctiediode?
  5. Hoe heet de eigenschap van een diode dat ze alleen in één richting goed stroom geleidt en in sperrichting vrijwel niet?