Nederlands
Menu

Halfgeleiderfysica

Hoe heet een halfgeleider met een zeer hoge onzuiverheidsconcentratie waarbij het Fermi-niveau in de geleidings- of valentieband terechtkomt?

  1. AIntrinsieke halfgeleider
  2. BIsolator
  3. CGedegenereerde halfgeleider
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Gedegenereerde halfgeleider

Wanneer de onzuiverheidsconcentratie zeer hoog is (bij silicium ruwweg 10¹⁸ tot 10¹⁹ cm⁻³ of meer), komt het Fermi-niveau in de geleidings- of valentieband te liggen en vertoont het materiaal eigenschappen die dicht bij die van een metaal liggen. Dit is een gedegenereerde halfgeleider; de eenvoudige formule n × p = ni² geldt niet meer en de bandkloof lijkt kleiner te worden (bandkloofversmalling). Voorbeelden zijn de source en drain van een MOSFET, laagohmige contacten met elektroden en de hooggedoteerde gebieden van een tunneldiode.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Halfgeleiderfysica

  1. Welke formule is de relatie van Einstein tussen de diffusiecoëfficiënt D en de mobiliteit μ van ladingdragers in een halfgeleider? (k: constante van Boltzmann, T: absolute temperatuur, q: elementaire lading)
  2. Welke waarde ligt het dichtst bij de thermische spanning kT/q bij kamertemperatuur (300 K)?
  3. Waar ligt het donorniveau van fosfor in silicium binnen de bandkloof?
  4. Welke uitspraak over silicium (kamertemperatuur, alles geïoniseerd) met zowel een donorconcentratie van 5×10¹⁶ cm⁻³ als een acceptorconcentratie van 2×10¹⁶ cm⁻³ is juist?
  5. Wat is de juiste reden dat de ladingdragerdichtheid sterk afneemt wanneer n-type silicium tot zeer lage temperatuur wordt gekoeld?