이미지 센서와 광소자

광섬유 통신의 1.55 µm 대역 빛을 받는 포토다이오드에 사용되는 재료로 적절한 것은?

  1. A실리콘(Si)
  2. B질화 갈륨(GaN)
  3. C인듐 갈륨 비소(InGaAs)
정답과 해설 보기

정답: C. 인듐 갈륨 비소(InGaAs)

실리콘은 밴드갭이 약 1.12 eV로, 약 1.1 µm보다 긴 빛은 거의 흡수할 수 없습니다. InGaAs(InP에 격자 정합하는 조성에서 밴드갭 약 0.75 eV)는 약 1.7 µm까지 흡수할 수 있으므로, 광섬유의 손실이 작은 1.3 µm 대역이나 1.55 µm 대역의 광통신용 수광 소자에 사용됩니다. GaN은 밴드갭이 커서 자외~청색용입니다. 실리콘 포토닉스에서는 수광부에 Ge를 성장시켜 사용합니다.

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