Wat is Superjunction-MOSFET?

Vermogens-MOSFET waarvan de driftlaag afwisselend uit p-type en n-type kolommen bestaat. Doordat de concentratie van de driftlaag bij gelijkblijvende doorslagspanning kan worden verhoogd, wordt een lagere aan-weerstand bereikt dan de theoretische limiet van silicium.

Japanse benaming: スーパージャンクションMOSFET

Vakgebied: Vermogenshalfgeleiders

Vergelijkingen met deze term

IGBT versus vermogens-MOSFET: keuzecriteria vergelekenIGBT's en vermogens-MOSFET's vergeleken in een tabel: structuur, spanningsbereik, geleidingsverliezen, schake…

Verwante termen

Aan-weerstand (on-resistance) Bodydiode DC-DC-omvormer Dode tijd (dead time) Gatedriver IGBT Kortsluitvastheid Normally-off Schakelverlies SiC (siliciumcarbide)

Naar de woordenlijst