Nederlands
Menu

PN-overgang en diode

Wat gebeurt er met de voorwaartse spanning van een siliciumdiode bij constante stroom wanneer de temperatuur stijgt?

  1. ADeze daalt met ca. 2 mV/°C
  2. BDeze stijgt met ca. 2 mV/°C
  3. CDeze verandert niet
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. Deze daalt met ca. 2 mV/°C

De voorwaartse spanning van een siliciumdiode die op constante stroom werkt, daalt met ca. 2 mV per 1 °C temperatuurstijging. De reden is dat de intrinsieke ladingdragerdichtheid toeneemt en de verzadigingsstroom Is groter wordt, zodat voor dezelfde stroom een kleinere spanning nodig is. Deze lineaire verandering wordt gebruikt in temperatuursensoren en vormt de basis van de temperatuurbewaking van CPU’s en van bandgap-referentiespanningsschakelingen (waarbij een spanning met positieve temperatuurcoëfficiënt wordt opgeteld om de temperatuurafhankelijkheid op te heffen).

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over PN-overgang en diode

  1. Hoeveel moet de voorwaartse spanning bij kamertemperatuur ongeveer toenemen om de voorwaartse stroom van een ideale diode (idealiteitsfactor n = 1) 10 keer zo groot te maken?
  2. Welke formule drukt de uitputtingslaagcapaciteit (junctiecapaciteit) C van een pn-junctie in sperrichting uit in het junctieoppervlak A, de breedte van de uitputtingslaag W en de permittiviteit ε van de halfgeleider?
  3. Wat is de juiste reden dat er bij een pn-junctie in thermisch evenwicht geen stroom naar buiten vloeit?
  4. Wat is de juiste definitie van de vulfactor (fill factor, FF) van een zonnecel?
  5. Wat is bij kamertemperatuur bij benadering de kleinsignaalweerstand (dynamische weerstand) van een ideale siliciumdiode waar in voorwaartse richting 1 mA doorheen vloeit? (kT/q ≈ 26 mV)