Welk materiaal is geschikt voor een fotodiode die licht in de 1,55 µm-band van glasvezelcommunicatie ontvangt?

Antwoord: C. Indiumgalliumarsenide (InGaAs)

Silicium heeft een bandkloof van circa 1,12 eV en kan licht met een golflengte langer dan circa 1,1 µm nauwelijks absorberen. InGaAs (bandkloof circa 0,75 eV bij de samenstelling die roosterovereenkomt met InP) kan tot circa 1,7 µm absorberen en wordt gebruikt voor ontvangstelementen voor optische communicatie in de 1,3 µm- en 1,55 µm-banden, waar het verlies van glasvezel klein is. GaN heeft een grote bandkloof en is voor ultraviolet tot blauw. Bij siliciumfotonica wordt Ge in het ontvangstgedeelte gegroeid.